这种依赖于距离的增强活性可以保持到dsite接近0.7nm，微电网当dsite 进一步减小时，ORR活性略微降低（见图3 I-K）。

主要从事新型能源薄膜材料与半导体光电器件研究，迎应用聚焦于薄膜太阳电池、光电探测器及光解水制氢应用领域。在AdvancedMaterials、加速AdvancedFunctionalMaterials和InfoMat等高水平学术期刊上发表SCI收录论文50余篇。

文章链接：成长https://doi.org/10.1002/adfm.202207470提出了一种异质结界面优化策略，成长通过在CdS缓冲层中引入Al3+离子并进行热处理，Sb2Se3/CdS:Al异质结的能带排列可有效地由悬崖状结构转变为理想的长钉状结构，从而降低异质结界面缺陷浓度，抑制载流子非辐射复合，提高太阳电池性能。规模最终获得纯CCTS薄膜太阳电池目前最高光电转换效率10.14%。苏正华博士一直从事薄膜半导体材料的研究（包括光热电、推广铁磁和铁电性能等），推广特别是在硫化物薄膜半导体太阳能电池的研究方面取得了丰富的科研成果并获得目前最高的纯硫化物CZTS薄膜太阳电池转换效率。

在Cu/（Cd+Sn）比例为0.83和硫化温度为590℃，尚需时间带尾态形成明显受到抑制，从而改善了能带波动，减少了开压损失。该方法不仅改善了界面和载流子输运，微电网还降低了深能级受体缺陷密度，从而抑制了非辐射复合。

迎应用最后总结分析Sb2Se3薄膜太阳电池载流子动力学优化机制对太阳电池效率进一步提升具有重要意义。

本文采用与产业兼容性高的真空溅射结合硒化热处理生长出高质量光吸收层Sb2Se3薄膜，加速构建出Mo/Sb2Se3/CdS/ITO/Ag平面异质结薄膜太阳电池，加速对Sb2Se3/CdS异质结进行快速热处理，实现元素有益扩散，材料掺杂浓度明显提高、优化Spike-like能带匹配、有效钝化界面缺陷、抑制非辐射复合，最终Sb2Se3薄膜太阳电池开路电压突破500mV至520mV且光电转化效率提升至8.64%。成长1994年获得吉林大学博士学位后继续在东京大学做博士后研究。

此外，规模在纯净和掺杂的PtD-y晶体中观察到了与EnT过程耦合的显着PL各向异性。主要从事纳米碳材料、推广二维原子晶体材料和纳米化学研究，推广在石墨烯、碳纳米管的化学气相沉积生长方法及其应用领域做出了一系列开拓性和引领性工作，是国际上具有代表性的纳米碳材料研究团队之一。

研究人员研究了在50倍的盐度梯度下，尚需时间双极膜的最大功率密度可达~6.2W/m2，比Nafion117高出13%。在超双亲/超双疏功能材料的制备、微电网表征和性质研究等方面，微电网发明了模板法、相分离法、自组装法、电纺丝法等多种有实用价值的超疏水性界面材料的制备方法。